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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFI9530GPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFI9530GPBF价格参考¥5.55-¥13.29。VishayIRFI9530GPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRFI9530GPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFI9530GPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFI9530GPBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沙漠MOSFET,常用于电源管理和电机控制等领域。其主要应用场景包括: 1. 电源转换系统:如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,用于高效能电能转换; 2. 电机驱动:在直流电机、步进电机控制电路中作为开关元件; 3. 负载开关:用于控制高电流负载的通断,如照明系统、加热元件等; 4. 电池管理系统:在电池充放电保护电路中,作为高边或低边开关; 5. 工业自动化设备:广泛应用于自动化控制系统中的功率开关; 6. 汽车电子:如车载电源系统、电动工具、车窗控制模块等; 7. 消费电子产品:如高功率LED驱动、充电器、变频器等设备中。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性,适用于中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 7.7A TO220FPMOSFET P-Chan 100V 7.7 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.7 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.7 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?91163 |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFI9530GPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFI9530GPBFIRFI9530GPBF |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 300 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 300 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 52 ns |
| 下降时间 | 39 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 860pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 38nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 4.6A,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | Single-Gate MOSFET Transistors |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | *IRFI9530GPBF |
| 典型关闭延迟时间 | 31 ns |
| 功率-最大值 | 42W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装,隔离接片 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.7A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |