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产品简介:
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RSR020P05FRATL 是由 Rohm Semiconductor(罗姆半导体) 生产的一款 P沟道MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)。以下是其典型应用场景: 该MOSFET主要用于 负载开关、电源管理及电池供电设备 中,适合需要高效能与小型封装的应用。常见于以下领域: 1. 便携式电子设备:如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,用于电源切换和节能控制; 2. DC-DC转换器:适用于同步整流或低电压输入的升压/降压电路; 3. 电机驱动与继电器替代:因其快速开关特性,可用于小型电机或继电器的控制; 4. 汽车电子系统:如车载充电器、LED照明控制等对空间和效率有要求的场景; 5. 工业自动化设备:在PLC、传感器模块中实现低功耗开关控制。 其优势在于导通电阻低、响应速度快,并采用小型表面贴装封装(如TSMT6),便于高密度PCB布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET P-CH 45V 2A TSMT3 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
品牌 | Rohm Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | RSR020P05FRATL |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 500pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4.5nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 190 毫欧 @ 2A, 10V |
供应商器件封装 | TSMT3 |
功率-最大值 | 540mW |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准包装 | 3,000 |
漏源极电压(Vdss) | 45V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |