【未分类_FQD19N10TM_F080】封装/厂家_FQD19N10TM_F080中文资料_价格

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型号： FQD19N10TM_F080
制造商： Fairchild Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供FQD19N10TM_F080由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD19N10TM_F080价格参考。Fairchild SemiconductorFQD19N10TM_F080封装/规格：未分类，暂无。您可以下载FQD19N10TM_F080参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD19N10TM_F080 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQD19N10TM_F080 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET，属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有以下特性：耐压为 100V，连续漏极电流可达 12A（在特定条件下），并且具备低导通电阻和快速开关速度。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   - 直流-直流转换器：用于降压或升压电路中，作为主开关器件，实现高效的电压转换。
   - 开关电源 (SMPS)：适用于小型开关电源设计，例如适配器、充电器等，提供高效率和低损耗。
   - 负载开关：在需要动态开启/关闭负载的系统中，用作高效开关。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制：适合驱动玩具、风扇或其他低功率电机，提供精确的电流控制。
   - H 桥电路：与其他 MOSFET 配合使用，构成 H 桥以实现电机的正反转控制。

 3. 保护电路
   - 过流保护：利用其低导通电阻和快速响应特性，设计过流保护电路。
   - 短路保护：在发生短路时迅速切断电流路径，保护其他电路元件。

 4. 电池管理系统 (BMS)
   - 电池充放电控制：用于锂电池或镍氢电池的充放电回路中，作为开关或保护器件。
   - 均衡电路：在多节电池组中，通过 MOSFET 实现电池单元间的电量均衡。

 5. 信号切换
   - 高速信号切换：由于其快速开关特性，可应用于音频、视频或其他信号切换场景。
   - 数据通信接口：在 USB、RS-232 等接口中用作保护或切换开关。

 6. 消费电子设备
   - 家电产品：如吸尘器、空气净化器、加湿器等，用于功率调节和电机控制。
   - 便携式设备：如移动电源、手持设备等，提供高效的功率管理和保护功能。

FQD19N10TM_F080 的低导通电阻和高效率使其非常适合对功耗敏感的应用场景，同时其紧凑的封装形式也便于在空间受限的设计中使用。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 15.6A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	Fairchild Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet 点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	FQD19N10TM_F080
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	QFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	780pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 7.8A，10V
供应商器件封装	D-Pak
功率-最大值	2.5W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	2,500
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	15.6A （Tc）