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Datasheet下载- 型号： IRF6655TR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6655TR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6655TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6655TR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6655TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6655TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF6655TR1PBF 是由 Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的晶体管，属于 FET（场效应晶体管）中的 MOSFET - 单一类别。该型号的 MOSFET 主要应用于以下场景： 1. 电源管理 - DC-DC 转换器：用于开关模式电源（SMPS）中，作为高效的开关元件，实现电压转换。 - 降压/升压电路：在需要调节电压的应用中，IRF6655TR1PBF 可以提供低导通电阻（Rds(on)），从而降低功耗并提高效率。 - 电池管理系统：适用于锂电池或其他电池组的充放电控制，确保电流和电压的安全范围。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：如家用电器、电动工具中的电机驱动电路，IRF6655TR1PBF 的快速开关特性和低损耗特性使其非常适合此类应用。 - H 桥电路：用于双向电机控制，能够高效地切换电流方向。 3. 工业自动化 - 继电器替代：在需要高频开关的场合，可以用 MOSFET 替代传统机械继电器，减少磨损并提高响应速度。 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在 PLC 输出模块中，用作开关元件以控制负载。 4. 消费电子 - 音频设备：用于功率放大器或音频信号处理中的开关电路，提供稳定的性能。 - LED 驱动：在高亮度 LED 照明系统中，作为开关或调光控制元件。 5. 通信设备 - 信号调理：在通信基站或网络设备中，用于信号路径的开关控制。 - 电源模块：为通信设备提供稳定且高效的电源支持。 6. 汽车电子 - 车载电子系统：如车窗升降器、雨刷器、座椅调节等系统的电机驱动。 - 新能源汽车：在电动汽车或混合动力汽车中，用于电池管理、逆变器和其他关键电路。 技术优势 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功率损耗，提高系统效率。 - 高开关频率：适合需要快速响应的应用场景。 - 良好的热稳定性：能够在较宽的工作温度范围内保持性能。 综上所述，IRF6655TR1PBF 广泛应用于各种需要高效开关和低功耗的场景，尤其是在电源管理、电机驱动和工业自动化领域表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFETMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET SH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 4.2 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6655TR1PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6655TR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 42 W |
| Pd-功率耗散 | 42 W |
| Qg-GateCharge | 8.7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 8.7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 53 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 53 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 2.8 ns |
| 下降时间 | 4.3 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.8V @ 25µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 530pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11.7nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 62 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SH |
| 典型关闭延迟时间 | 14 ns |
| 功率-最大值 | 2.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SH |
| 封装/箱体 | DirectFET-6 SH |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 40 C |
| 标准包装 | 1,000 |
| 正向跨导-最小值 | 6.6 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.2A （Ta）， 19A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6665.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6665.spi |
| 配置 | Single |
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