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  • 型号: FQPF3N25
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQPF3N25由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQPF3N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQPF3N25封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FQPF3N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQPF3N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQPF3N25是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型功率MOSFET,属于晶体管中的场效应管(FET)类别。该器件常用于需要高效开关和功率控制的电路中。

典型应用场景包括:

1. 电源管理:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源(SMPS)中,用于高效地进行电压转换和稳压控制。

2. 马达驱动:在直流马达、步进马达或无刷马达的驱动电路中,作为功率开关使用,控制马达的启停与转速。

3. 负载开关:用于控制高功率负载的通断,例如LED照明、加热元件或风扇等设备的开关控制。

4. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,作为核心开关元件将直流电转换为交流电。

5. 电池管理系统(BMS):用于电池充放电控制,保护电池组免受过流或短路损害。

FQPF3N25具备低导通电阻、高耐压(250V)和良好的热稳定性,适合中高功率应用,广泛用于工业控制、消费电子及汽车电子等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 250V 2.3A TO-220F

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

Fairchild Semiconductor

数据手册

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产品图片

产品型号

FQPF3N25

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

QFET®

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

170pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

5.2nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2.2 欧姆 @ 1.15A,10V

供应商器件封装

TO-220F

功率-最大值

27W

包装

管件

安装类型

通孔

封装/外壳

TO-220-3 整包

标准包装

1,000

漏源极电压(Vdss)

250V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.3A (Tc)

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