Datasheet下载- 型号： IRF9Z24NS
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NS由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NS价格参考。International RectifierIRF9Z24NS封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24NS参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NS 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF9Z24NS的晶体管，属于P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）类别。该器件广泛应用于需要高效、可靠功率控制的场合。 IRF9Z24NS的典型应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高边开关或负载开关，实现高效的能量转换与分配。 2. 电机控制：在直流电机驱动电路中，作为功率开关控制电机的启停与方向，适用于工业自动化设备及电动工具。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、UPS（不间断电源）、电池管理系统（BMS）中，用于电池充放电保护和电源切换。 4. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、门锁控制）等场景，满足汽车环境对可靠性和稳定性的高要求。 5. 工业控制系统：在PLC（可编程逻辑控制器）、继电器替代方案中，实现对负载的高速、低损耗控制。 该MOSFET具备低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性，适合中高功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IRF9Z24NS |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | *IRF9Z24NS |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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