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  • 型号: SIHD12N50E-GE3
  • 制造商: Vishay
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIHD12N50E-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIHD12N50E-GE3价格参考。VishaySIHD12N50E-GE3封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载SIHD12N50E-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIHD12N50E-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIHD12N50E-GE3是一款高压N沟道增强型MOSFET,具有12A电流和500V耐压,适用于高效率、高功率密度的电源转换场景。其主要应用场景包括:

1. 开关电源(SMPS):广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中,如服务器电源、工业电源模块和适配器,因其高耐压和低导通电阻(RDS(on)),有助于提升能效并减少发热。

2. LED照明驱动:适用于大功率LED路灯、工业照明等恒流驱动电路,支持高频开关操作,提高调光精度与系统稳定性。

3. 电机驱动:用于小型工业电机、风扇、泵类等控制电路,具备良好的开关特性和过载能力,适合脉宽调制(PWM)控制。

4. 光伏逆变器:在太阳能发电系统中的DC-AC转换环节,该器件可承担功率切换任务,适应高温与高电压工作环境。

5. 家用电器与工业控制:如空调、洗衣机、电磁炉等设备的功率控制模块,提供可靠开关性能。

SIHD12N50E-GE3采用TO-220或类似封装,散热性能良好,适合需要紧凑设计和高可靠性的应用。其符合RoHS标准,具备优良的雪崩耐受能力和抗干扰特性,适用于严苛工业环境。总体而言,该MOSFET适用于中高功率、高电压的开关控制场合,是电源管理系统的理想选择。
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