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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMC86340由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMC86340价格参考。Fairchild SemiconductorFDMC86340封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMC86340参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMC86340 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMC86340 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类别。该型号具有低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和出色的热性能,适用于多种功率转换和控制场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 FDMC86340 常用于 DC-DC 转换器、开关模式电源(SMPS)和电压调节模块(VRM)。其低 Rds(on) 特性可降低导通损耗,提高效率,适合笔记本电脑、台式机和服务器的电源管理系统。 2. 电机驱动 该器件可用于无刷直流电机(BLDC)驱动器、步进电机控制器和其他电机控制应用。其快速开关能力和低导通电阻有助于实现高效的电机驱动和精确的速度控制。 3. 负载开关 在消费电子设备中,FDMC86340 可作为负载开关使用,用于动态管理电路中的电流流动。它能够快速响应并保护下游电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理 适用于锂电池充电器、保护电路和便携式设备的电池管理系统。其低导通电阻有助于减少功耗,延长电池寿命。 5. 通信设备 在网络路由器、交换机和基站等通信设备中,FDMC86340 可用于信号调理、功率分配和电源保护,确保系统的稳定性和可靠性。 6. 工业自动化 该 MOSFET 可用于工业控制系统中的继电器替代、电磁阀驱动和传感器接口,提供高效且紧凑的解决方案。 7. 汽车电子 尽管 FDMC86340 不是专门的车规级产品,但在非关键车载应用中(如照明控制、风扇控制和小型电机驱动),它仍能表现出良好的性能。 综上所述,FDMC86340 的高性能特性使其成为消费电子、计算机、通信、工业和汽车领域中功率转换与控制的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 80V 48A POWER33MOSFET 80V N Chan Shielded Gate Power Trench |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 48 A |
Id-连续漏极电流 | 48 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMC86340PowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDMC86340 |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 54 W |
Pd-功率耗散 | 54 W |
Qg-GateCharge | 53 nC |
Qg-栅极电荷 | 53 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 8.5 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
上升时间 | 16 ns |
下降时间 | 10 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3885pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 53nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 14A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Power33 |
其它名称 | FDMC86340DKR |
典型关闭延迟时间 | 37 ns |
功率-最大值 | 54W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 152.700 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerWDFN |
封装/箱体 | Power 33-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 36 S |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fdmc86340-80-v-nchannel-shielded-gate-power-trench-mosfet/50438 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Ta), 48A (Tc) |
系列 | FDMC86340 |
配置 | Single |