ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > PSMN027-100BS,118
Datasheet下载- 型号： PSMN027-100BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
PSMN027-100BS,118产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN027-100BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN027-100BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN027-100BS,118封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 100V 37A（Tc） 103W（Tc） D2PAK。您可以下载PSMN027-100BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN027-100BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN027-100BS,118 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热稳定性的特点，适用于多种电力电子应用。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，作为高效能开关元件，提高电源效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动：在直流电机或步进电机控制电路中用作功率开关，适用于工业自动化设备、电动工具及机器人系统。 3. 负载开关与电源分配：可用于服务器、计算机主板、电池管理系统等场景中的负载开关控制，实现对不同模块的供电管理。 4. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，适用于车载充电系统、车身控制模块、LED照明驱动等汽车应用环境。 5. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）和小型逆变器中作为主开关器件，实现高效的电能转换。 6. 工业控制：在PLC（可编程逻辑控制器）、工业电源及自动化控制系统中作为高频开关使用。 该MOSFET具备优良的封装散热性能，适合高密度PCB布局，是高性能、高可靠性设计的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 37A D2PAKMOSFET N-CH 100V 26.8 MOHM MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 37 A |
| Id-连续漏极电流 | 37 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN027-100BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN027-100BS,118 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 103 W |
| Pd-功率耗散 | 103 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 4.9 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 4.9 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1624pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26.8 毫欧 @ 15A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9701-6 |
| 功率-最大值 | 103W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 37A （Tmb） |
