Datasheet下载- 型号： ZVP3310FTA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZVP3310FTA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZVP3310FTA价格参考。Diodes Inc.ZVP3310FTA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZVP3310FTA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZVP3310FTA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZVP3310FTA是一款P沟道增强型MOSFET，常用于低电压、中等功率的开关和放大电路。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关、电源切换及DC-DC转换器，提高能效并减少静态电流。 2. 电机控制：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，实现正反转与调速功能。 3. LED照明：用于LED驱动电路中，实现亮度调节与恒流控制。 4. 工业自动化：广泛应用于PLC、传感器和执行器模块中，作为高速开关器件。 5. 消费电子：常见于便携式电子产品如智能手机、平板电脑和穿戴设备中，用于电源管理和信号控制。 6. 汽车电子：可用于车载电器控制系统，如车窗升降器、灯光控制模块等。 该器件具有低导通电阻、封装小巧（SOT-223）、易于散热等特点，适合高密度PCB布局与高效能需求的设计场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 100V 75MA SOT23-3MOSFET P-Chnl 100V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 75 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZVP3310FTA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZVP3310FTA |
| Pd-PowerDissipation | 330 mW |
| Pd-功率耗散 | 330 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 20 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 50pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 20 欧姆 @ 150mA，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | ZVP3310F-ND |
| 其它图纸 |
|
| 典型关闭延迟时间 | 8 ns |
| 功率-最大值 | 330mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 20 Ohms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 100 V |
| 漏极连续电流 | 75 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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