Datasheet下载- 型号： FDA38N30
- 制造商： Fairchild Semiconductor
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDA38N30由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDA38N30价格参考。Fairchild SemiconductorFDA38N30封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDA38N30参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDA38N30 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美半导体）的FDA38N30是一款N沟道增强型MOSFET晶体管，其主要应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：FDA38N30具有低导通电阻（Rds(on)）和高击穿电压（V(BR)DSS = 300V），非常适合用于开关电源中的高压开关应用。它能够高效地控制电流的开断，适用于各种AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动：该MOSFET可用于驱动小型直流电机、步进电机或伺服电机。其高耐压能力和快速开关特性使得它能够在电机启动、运行和制动过程中保持稳定性能。 3. 逆变器：在光伏逆变器或其他类型的电力逆变器中，FDA38N30可以作为功率开关元件，实现直流到交流的转换，同时保持较高的效率和可靠性。 4. 负载开关：由于其低导通电阻，该器件可作为高效的负载开关，用于控制电路中不同负载的供电状态，减少功耗并提高系统效率。 5. 保护电路：FDA38N30可以用作过流保护或短路保护开关。当检测到异常电流时，可以通过关断MOSFET来保护下游电路免受损害。 6. 电磁阀和继电器驱动：该MOSFET适合驱动需要较高电压的电磁阀或固态继电器，确保可靠激活和释放。 7. 音频放大器：在某些音频设备中，FDA38N30可以用作输出级功率开关，帮助处理大信号摆幅而不失真。 总之，FDA38N30凭借其出色的电气特性和稳健的设计，在工业控制、消费电子、汽车电子以及通信设备等领域都有广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V TO-3MOSFET UniFET1 300V N-chan MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38 A |
| Id-连续漏极电流 | 38 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDA38N30UniFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDA38N30 |
| PCN组件/产地 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 312 W |
| Pd-功率耗散 | 312 W |
| Qg-GateCharge | 60 nC |
| Qg-栅极电荷 | 60 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 300 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 300 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 5 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-3PN |
| 功率-最大值 | 312W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 6.401 g |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-3P-3，SC-65-3 |
| 封装/箱体 | TO-3PN-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 125 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | 6.3 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Tc） |
| 系列 | FDA38N30 |
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