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  • 型号: STP6NK90Z
  • 制造商: STMicroelectronics
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STP6NK90Z产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供STP6NK90Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6NK90Z价格参考。STMicroelectronicsSTP6NK90Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP6NK90Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP6NK90Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

STMicroelectronics(意法半导体)生产的型号为STP6NK90Z的MOSFET是一款N沟道增强型功率MOSFET,其应用场景非常广泛,主要集中在需要高效开关和功率处理的领域。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 开关电源(SMPS)
   - STP6NK90Z常用于开关电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其高电压耐受能力(900V击穿电压)使其适用于离线式开关电源、适配器以及工业电源。
   - 在反激式、正激式或LLC谐振转换器中,该器件能够提供高效的能量转换。

 2. 电机驱动与控制
   - 该MOSFET可用于中小型电机驱动电路,例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机等。其低导通电阻(典型值为1.8Ω)有助于减少功耗并提高效率。
   - 在步进电机或直流无刷电机(BLDC)驱动中,可作为H桥或半桥电路的一部分。

 3. 逆变器与变频器
   - 在太阳能逆变器或其他类型的电力电子逆变器中,STP6NK90Z可用作高频开关元件,实现直流到交流的转换。
   - 变频器应用中,它能帮助调节电机速度和扭矩,适用于空调、冰箱等家电产品。

 4. 电磁炉与感应加热
   - 在电磁炉或感应加热设备中,该MOSFET可以用作功率级开关,驱动LC谐振电路以产生高频电流进行加热。

 5. 保护电路
   - 由于其高耐压特性,STP6NK90Z适合用作过压保护、负载开关或电子保险丝中的关键元件,确保系统在异常情况下安全运行。

 6. 照明系统
   - 在高压LED驱动电路中,该MOSFET可以作为开关元件,配合PWM调光技术实现亮度调节。
   - 也可用于荧光灯镇流器或 HID 灯的启动和运行电路。

 总结
STP6NK90Z凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,非常适合需要高可靠性及高效功率转换的应用场合。无论是消费电子、工业设备还是绿色能源领域,这款MOSFET都能发挥重要作用。选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否符合额定参数要求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

5.8 A

Id-连续漏极电流

5.8 A

品牌

STMicroelectronics

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP6NK90ZSuperMESH™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

STP6NK90Z

Pd-PowerDissipation

140 W

Pd-功率耗散

140 W

Qg-GateCharge

46.5 nC

Qg-栅极电荷

46.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

2 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

2 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

900 V

Vds-漏源极击穿电压

900 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

45 ns

下降时间

20 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1350pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

60.5nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

2 欧姆 @ 2.9A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-220AB

其它名称

497-3199-5

其它有关文件

http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67406?referrer=70071840

典型关闭延迟时间

20 ns

功率-最大值

140W

包装

管件

单位重量

1.438 g

商标

STMicroelectronics

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

TO-220-3

封装/箱体

TO-220-3

工厂包装数量

50

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

5 S

漏源极电压(Vdss)

900V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.8A (Tc)

系列

STP6NK90Z

通道模式

Enhancement

配置

Single

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