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STP6NK90Z产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP6NK90Z由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP6NK90Z价格参考。STMicroelectronicsSTP6NK90Z封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 900V 5.8A(Tc) 140W(Tc) TO-220AB。您可以下载STP6NK90Z参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP6NK90Z 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)生产的型号为STP6NK90Z的MOSFET是一款N沟道增强型功率MOSFET,其应用场景非常广泛,主要集中在需要高效开关和功率处理的领域。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源(SMPS) - STP6NK90Z常用于开关电源的设计中,作为主开关管或同步整流管。其高电压耐受能力(900V击穿电压)使其适用于离线式开关电源、适配器以及工业电源。 - 在反激式、正激式或LLC谐振转换器中,该器件能够提供高效的能量转换。 2. 电机驱动与控制 - 该MOSFET可用于中小型电机驱动电路,例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机等。其低导通电阻(典型值为1.8Ω)有助于减少功耗并提高效率。 - 在步进电机或直流无刷电机(BLDC)驱动中,可作为H桥或半桥电路的一部分。 3. 逆变器与变频器 - 在太阳能逆变器或其他类型的电力电子逆变器中,STP6NK90Z可用作高频开关元件,实现直流到交流的转换。 - 变频器应用中,它能帮助调节电机速度和扭矩,适用于空调、冰箱等家电产品。 4. 电磁炉与感应加热 - 在电磁炉或感应加热设备中,该MOSFET可以用作功率级开关,驱动LC谐振电路以产生高频电流进行加热。 5. 保护电路 - 由于其高耐压特性,STP6NK90Z适合用作过压保护、负载开关或电子保险丝中的关键元件,确保系统在异常情况下安全运行。 6. 照明系统 - 在高压LED驱动电路中,该MOSFET可以作为开关元件,配合PWM调光技术实现亮度调节。 - 也可用于荧光灯镇流器或 HID 灯的启动和运行电路。 总结 STP6NK90Z凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关性能,非常适合需要高可靠性及高效功率转换的应用场合。无论是消费电子、工业设备还是绿色能源领域,这款MOSFET都能发挥重要作用。选择具体应用场景时,需根据实际需求评估其工作条件是否符合额定参数要求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 900V 5.8A TO-220MOSFET N-Ch 900 Volt 5.8 A Zener SuperMESH |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.8 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP6NK90ZSuperMESH™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP6NK90Z |
| Pd-PowerDissipation | 140 W |
| Pd-功率耗散 | 140 W |
| Qg-GateCharge | 46.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 46.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 900 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 900 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 45 ns |
| 下降时间 | 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 60.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2 欧姆 @ 2.9A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-3199-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67406?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns |
| 功率-最大值 | 140W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 1.438 g |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 正向跨导-最小值 | 5 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 900V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Tc) |
| 系列 | STP6NK90Z |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |