Datasheet下载- 型号： FQD7N10TM
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQD7N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQD7N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQD7N10TM封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQD7N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQD7N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQD7N10TM 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，常用于电源管理和开关应用。其主要应用场景包括： 1. 电源转换器（如DC-DC转换器）：适用于中低功率的开关电源设计，具备高效能和低导通电阻特性，有助于提高电源效率。 2. 电机驱动电路：可用于小型电机或步进电机的控制，作为开关元件实现正反转和调速功能。 3. 负载开关控制：在电池供电设备中用于控制负载的通断，实现节能和过载保护。 4. LED照明驱动：用于LED灯串的开关控制或调光电路中，具备快速开关特性。 5. 工业自动化设备：如PLC模块、传感器电源管理等，提供可靠的高频开关性能。 6. 消费类电子产品：如充电器、适配器、智能家电等，因其封装小巧、性能稳定，适合高密度电路设计。 该器件采用TDFN封装，具备低导通电阻（Rds(on)）和高频率响应特性，适合高频开关应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，适用于多种中低功率电子系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 5.8A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | FQD7N10TM |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | QFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 2.9A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | FQD7N10TMDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Tc） |
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