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产品简介:
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NTB75N06T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高效率和高可靠性的特点。该器件常用于需要高效功率转换和控制的应用中。 典型应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,适用于笔记本电脑、服务器和通信设备中的高效电源模块。 2. 电机驱动:用于直流电机、步进电机的控制电路中,提供快速开关和低损耗性能,适用于工业自动化和机器人系统。 3. 电池管理系统(BMS):在电动工具、电动车和储能系统中作为充放电控制开关使用。 4. 照明系统:如LED驱动电路,用于调节和开关高亮度LED光源。 5. 消费类电子产品:如电源适配器、智能家电、电源插座等,实现高效能与小型化设计。 6. 汽车电子:用于车载电源系统、LED车灯驱动、电动助力转向系统等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET采用TOLL封装,具备良好的热性能和电流承载能力,适合高功率密度设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET PWR N-CHAN 60V 75A D2PAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTB75N06T4G |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4510pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 130nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 9.5 毫欧 @ 37.5A,10V |
供应商器件封装 | D2PAK |
其它名称 | NTB75N06T4GOSCT |
功率-最大值 | 2.4W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Ta) |