Datasheet下载- 型号： IRFSL23N15D
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFSL23N15D由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFSL23N15D价格参考。International RectifierIRFSL23N15D封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFSL23N15D参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFSL23N15D 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）是一家全球领先的半导体公司，其生产的MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）广泛应用于各种电子设备中。型号为IRFSL23N15D的MOSFET属于功率场效应晶体管，具有低导通电阻、高效率和快速开关特性。 该器件主要适用于以下应用场景： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、同步整流器等，用于提高能量转换效率，降低功耗。 2. 电机控制：在无刷直流电机、步进电机驱动电路中作为功率开关使用。 3. 电池管理系统：用于电动工具、电动自行车、储能系统中的充放电控制。 4. 工业自动化：作为负载开关或功率控制元件，广泛应用于PLC、变频器等工业设备中。 5. 汽车电子：如车载充电器、LED车灯驱动、起停系统等对可靠性和效率要求较高的场景。 6. 消费类电子产品：例如高性能电源适配器、智能家电中的功率控制模块。 由于其封装形式紧凑、性能稳定，IRFSL23N15D特别适合空间受限且需要高效能表现的设计应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 23A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFSL23N15D |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 14A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRFSL23N15D |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 150V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Tc） |
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