Datasheet下载- 型号： BUK7618-55,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK7618-55,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK7618-55,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK7618-55,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK7618-55,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK7618-55,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BUK7618-55,118 是 Nexperia USA Inc. 生产的一款单通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该型号属于功率 MOSFET，广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源 (SMPS)：BUK7618-55,118 可用于设计高效的开关电源，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 特性有助于减少功率损耗，提高效率。 - 电压调节模块 (VRM)：在计算机和服务器的主板上，该 MOSFET 可用作同步整流器或功率级开关，为 CPU 和 GPU 提供稳定的电压。 2. 电机驱动 - 直流电机控制：适用于小型直流电机的启动、停止和速度控制。通过 PWM（脉宽调制）技术，可以实现精确的速度调节。 - 无刷直流电机 (BLDC)：作为逆变桥的一部分，用于驱动 BLDC 电机，常见于家用电器、电动工具和无人机等领域。 3. 负载开关 - 在便携式电子设备（如智能手机、平板电脑和笔记本电脑）中，该 MOSFET 可用作负载开关，控制电路的通断，以降低待机功耗并保护电路免受过流或短路的影响。 4. 电池管理系统 (BMS) - 在电动汽车、电动自行车和储能系统中，BUK7618-55,118 可用于电池充放电管理，提供高效且可靠的开关功能，同时支持过压、过流保护。 5. 工业自动化 - 固态继电器 (SSR)：替代传统机械继电器，用于工业控制中的信号隔离和功率切换。 - 可编程逻辑控制器 (PLC)：在 PLC 输出阶段，该 MOSFET 可用于驱动外部负载，如电磁阀、指示灯等。 6. 照明系统 - LED 驱动器：用于 LED 照明系统的恒流驱动，确保 LED 在不同条件下保持亮度一致，同时提高能效。 - 智能照明：支持调光和调色功能，满足现代智能家居的需求。 总结 BUK7618-55,118 的高性能和可靠性使其成为多种应用的理想选择，尤其是在需要高效功率转换和精确控制的场景中。其低导通电阻、高开关速度和良好的热性能进一步提升了系统的整体表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 57A D2PAKMOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 57 A |
| Id-连续漏极电流 | 57 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK7618-55,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK7618-55,118 |
| Pd-PowerDissipation | 125 W |
| Pd-功率耗散 | 125 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 30 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 934045250118 |
| 典型关闭延迟时间 | 35 ns |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | SOT-404-3 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 57A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | /T3 BUK7618-55 |
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