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- 型号： FQAF34N25
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FQAF34N25由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQAF34N25价格参考。Fairchild SemiconductorFQAF34N25封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FQAF34N25参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FQAF34N25 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQAF34N25是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，属于晶体管中的MOSFET单管产品。该器件具有34A的连续漏极电流和250V的漏源击穿电压，导通电阻低，开关速度快，适用于高效率、高功率密度的电源转换应用。 其典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如适配器、充电器、服务器和工业电源模块，因其高耐压和低导通损耗，有助于提升能效。 2. 电机驱动：适用于中小型电机控制，如家用电器（洗衣机、风扇）、电动工具等，具备良好的热稳定性和负载切换能力。 3. 照明系统：用于LED驱动电源，特别是在高亮度LED照明或户外照明中，支持高效恒流控制。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中作为主开关元件，实现直流到交流的高效转换。 5. 工业控制与电源管理：可用于各类工业电源模块、电池管理系统及功率因数校正（PFC）电路。 FQAF34N25采用TO-262封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。其设计兼顾可靠性和效率，满足能源之星等能效标准，广泛应用于消费电子、工业设备和绿色能源领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 21.7A TO-3PF |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FQAF34N25 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2750pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 85 毫欧 @ 10.9A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-3PF |
| 功率-最大值 | 100W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | SC-94 |
| 标准包装 | 360 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21.7A （Tc） |
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