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详细数据请看参考数据手册
- 型号： IRF2903ZSTRLP
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2903ZSTRLP由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2903ZSTRLP价格参考。International RectifierIRF2903ZSTRLP封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF2903ZSTRLP参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF2903ZSTRLP 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF2903ZSTRLP 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET，属于单MOSFET器件，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器等，因其低导通电阻（RDS(on)）可减少能量损耗，提高转换效率，特别适合高电流、低电压输出的应用。 2. 电机驱动：常用于工业控制、电动工具、家用电器中的直流电机或步进电机驱动电路，具备良好的开关特性和耐压能力，能有效提升驱动性能并降低发热。 3. 照明系统：在LED驱动电源中作为主控开关元件，支持高频率工作，有助于实现小型化和高效化设计。 4. 汽车电子：尽管该型号主要用于工业领域，但在部分车载辅助电源系统或车身控制模块中也可应用，如车灯控制、风扇驱动等，得益于Infineon在汽车级可靠性方面的技术积累。 5. 消费电子与工业设备：可用于电池管理系统、逆变器、UPS不间断电源等设备中，提供快速开关响应和稳定的工作性能。 IRF2903ZSTRLP 采用表面贴装封装（如PG-HSOF-8），便于自动化生产，适合紧凑型电路设计。其优化的栅极电荷和导通电阻平衡，使其在中高功率应用中表现优异。总体而言，该器件适用于对效率、热性能和空间布局有较高要求的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A D2PAKMOSFET MOSFT 30V 260A 2.4mOhm 160nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 75 A |
| Id-连续漏极电流 | 75 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 否无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2903ZSTRLPHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF2903ZSTRLP |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 290 W |
| Pd-功率耗散 | 290 W |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 37 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6320pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.4 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRF2903ZSTRLPDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 48 ns |
| 功率-最大值 | 290W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 75A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
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