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Datasheet下载- 型号： IRFH4213TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4213TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4213TRPBF价格参考。International RectifierIRFH4213TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH4213TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH4213TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRFH4213TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类别。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于高效开关电源设计，适合降压或升压电路。 - 开关电源（SMPS）：作为主开关器件，应用于笔记本电脑适配器、电视电源等。 - 负载开关：在需要快速开启/关闭负载的场景中，提供低导通电阻和高效率。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于家用电器（如风扇、水泵）中的无刷直流电机（BLDC）驱动。 - H桥电路：用于正反转控制或PWM调速的电机驱动应用。 3. 电池管理系统（BMS） - 电池保护：用于锂离子电池组的充放电保护电路，防止过流、短路等情况。 - 均衡电路：实现电池单元间的电压均衡，延长电池寿命。 4. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、雨刷电机、座椅调节系统等。 - LED驱动：为汽车内外部照明系统提供高效的电流控制。 5. 工业自动化 - 继电器替代：用作固态继电器，实现更可靠和更快的开关操作。 - 信号放大与隔离：在工业控制中，用于信号传输和功率放大。 6. 消费电子 - 便携式设备：如智能手机、平板电脑中的充电管理和功率分配。 - 音频功放：在D类音频放大器中作为输出级开关器件。 性能特点支持的应用优势： - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功率损耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 良好的热性能：确保在高温环境下稳定工作。 - 高雪崩耐量：增强对瞬态电压的承受能力，提升可靠性。 综上，IRFH4213TRPBF广泛应用于需要高效功率转换、快速开关和可靠性能的场景，尤其适合中低电压、大电流的应用环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 41A PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 41 A |
| Id-连续漏极电流 | 41 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4213TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4213TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.6 W |
| Pd-功率耗散 | 3.6 W |
| Qg-GateCharge | 54 nC |
| Qg-栅极电荷 | 54 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 25 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 35 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3420pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 54nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH4213TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 17 ns |
| 功率-最大值 | 3.6W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 1.5 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 228 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 41 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fastirfet-power-mosfet/50450 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 41A （Ta） |
| 配置 | Single |
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