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- 型号： STP10N62K3
- 制造商： STMicroelectronics
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10N62K3由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10N62K3价格参考。STMicroelectronicsSTP10N62K3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP10N62K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP10N62K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics（意法半导体）生产的STP10N62K3是一款N沟道增强型高压MOSFET，属于晶体管中的功率MOSFET类别。该器件具有10A的连续漏极电流和620V的漏源击穿电压，适用于高电压、中等电流的开关应用。 典型应用场景包括： 1. 开关电源（SMPS）：广泛用于AC-DC和DC-DC转换器中，如适配器、充电器、工业电源模块等，因其高耐压和低导通电阻特性，有助于提高能效并减少发热。 2. 照明系统：应用于电子镇流器、LED驱动电源及节能灯控制电路，支持高频开关操作，提升系统稳定性与寿命。 3. 电机控制：适用于小型电机或通用马达驱动电路，如家用电器（洗衣机、风扇）、电动工具中的功率开关元件。 4. 逆变器与UPS：在不间断电源（UPS）、太阳能逆变器等设备中作为核心开关器件，实现直流到交流的高效转换。 5. 工业控制与电源管理：用于继电器驱动、电源开关模块、过压保护电路等工业级应用，具备良好的热稳定性和可靠性。 STP10N62K3采用TO-220或类似封装，便于散热安装，适合需要紧凑设计且对效率要求较高的中功率场合。其优化的栅极电荷和开关特性，使其在高频工作条件下仍保持较低损耗，是多种电源拓扑结构（如反激、正激、半桥等）的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | STP10N62K3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH3™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1250pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 750 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 497-9099-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF219939?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 125W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 620V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.4A （Tc） |
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