Datasheet下载- 型号： IPA50R280CE
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPA50R280CE由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPA50R280CE价格参考。InfineonIPA50R280CE封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPA50R280CE参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPA50R280CE 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IPA50R280CE是一款晶体管 - FET，MOSFET - 单的产品，其主要应用场景包括但不限于以下几个方面： 1. 开关电源（SMPS）：该MOSFET适用于各种开关电源设计，如AC-DC适配器、充电器等。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效降低能量损耗，提高转换效率。 2. 电机驱动：IPA50R280CE可以用于无刷直流电机（BLDC）或其他类型电机的驱动电路中，作为功率级开关器件，实现高效的PWM控制，确保电机运行平稳且节能。 3. 工业自动化：在工业控制领域，此型号可用于可编程逻辑控制器（PLC）、变频器以及伺服驱动器等设备中，提供稳定可靠的功率输出。 4. 不间断电源（UPS）：通过集成到逆变器或电池管理系统中，帮助维持系统在主电源中断时继续正常运作。 5. 太阳能逆变器：利用其高效能特点，在光伏能源转换过程中发挥重要作用，将直流电转化为交流电供给家庭或电网使用。 6. 汽车电子：尽管具体车规级认证情况需查阅资料确认，但类似规格产品常被应用于车载电子产品如电动助力转向系统(EPAS)、空调压缩机控制等方面。 7. 消费类电子产品保护电路：例如笔记本电脑、平板电视等大功率消费类电子产品的过流/过压保护机制里也可能用到此类MOSFET。 总之，IPA50R280CE凭借其优异性能参数，在需要高效功率转换与控制的各种场合都有广泛的应用潜力。选择具体应用时还需考虑工作电压、电流需求及散热条件等因素以确保最佳性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 13A PG-TO220FPMOSFET 500V 280 RDS CoolMOS Superjunction MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 产品手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPX50R280CE_2_0.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c736bcc70ff2&fileId=db3a3043382e837301384ce20ea743c7 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies IPA50R280CECoolMOS™ |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl?folderId=db3a304314dca38901152836c5a412ab&fileId=db3a304336ca04c90136dec71b8e23dc&ic=0220007 |
| 产品型号 | IPA50R280CE |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 30 W |
| Pd-功率耗散 | 30 W |
| Qg-GateCharge | 32.6 nC |
| Qg-栅极电荷 | 32.6 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 280 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 280 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 500 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.5V @ 350µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 773pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32.6nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 4.2A，13V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=25318 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PG-TO220FP |
| 其它名称 | IPA50R280CEIN |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Infineon Technologies |
| 商标名 | CoolMOS |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 应用说明 | http://www.infineon.com/dgdl/Infineon+-+AN+2012-04+-+CoolMOS+500V+CE+v1+0.pdf?folderId=db3a3043353fdc1601355231f4834785&fileId=db3a304336ca04c90136ea3a92e736f6 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Tc） |
| 系列 | IPA50R280 |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | IPA50R280CEXKSA1 SP000848218 |
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