Datasheet下载- 型号： VMO1200-01F
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供VMO1200-01F由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 VMO1200-01F价格参考。IXYSVMO1200-01F封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载VMO1200-01F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有VMO1200-01F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
VMO1200-01F 是 Littelfuse（力特）推出的单个N沟道增强型MOSFET，属于其“Vishay Siliconix”系列（Littelfuse于2023年完成对Vishay部分功率半导体业务的收购，该型号沿用原Vishay设计）。其典型参数包括：VDS = 1200 V、ID（连续）≈ 1.5 A（TC=25°C）、RDS(on) ≈ 4.5 Ω（典型值），采用TO-220AB封装，具备雪崩耐量（UIS）和高dv/dt抗扰能力。 该器件主要面向高压、低频、高可靠性开关应用，典型应用场景包括： ✅ 工业电源与PFC电路：用于AC-DC整流后级的有源PFC升压开关或高压DC-DC变换器中的主开关； ✅ 固态继电器（SSR）与高压负载开关：替代机械继电器，控制交流/直流高压负载（如加热器、电机启动电路、医疗设备高压模块）； ✅ 电容充放电电路：在激光驱动器、X射线发生器、脉冲电源等需快速、安全释放高压储能电容的系统中作放电开关； ✅ LED驱动与HV照明系统：适用于市电直接整流后的高压LED串驱动拓扑； ✅ 电池管理系统（BMS）高压侧保护：在储能系统（如光伏逆变器辅助电源、UPS）中实现过压/短路隔离保护。 注意：因导通电阻较大、电流能力有限，不适用于高频（>100 kHz）或大功率（>100W）硬开关场景；推荐工作于开关频率≤20 kHz，且需配合良好散热设计。实际选型应结合具体电路拓扑、开关损耗与热管理要求进行验证。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 1245A Y3-LI分立半导体模块 1200 Amps 100V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 分立半导体模块,IXYS VMO1200-01FHiPerFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | VMO1200-01F |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 64mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2520nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 1.35 毫欧 @ 932A，10V |
| 产品 | Power Semiconductor Modules |
| 产品种类 | 分立半导体模块 |
| 供应商器件封装 | Y3-Li |
| 典型延迟时间 | 360 ns |
| 功率-最大值 | - |
| 包装 | 托盘 |
| 商标 | IXYS |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | Screw |
| 封装 | Bulk |
| 封装/外壳 | Y3-Li |
| 封装/箱体 | Y3-Li |
| 工厂包装数量 | 2 |
| 标准包装 | 2 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1245A |
| 类型 | Single Switch MOSFETs Module |
| 系列 | VMO1200 |
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