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Datasheet下载- 型号： IRF640SPBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640SPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640SPBF价格参考。VishayIRF640SPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） D2PAK。您可以下载IRF640SPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640SPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRF640SPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），其应用场景广泛，特别是在需要高效开关和功率管理的电路中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理：IRF640SPBF常用于各种电源管理系统中，如开关电源（SMPS）、直流-直流转换器等。它能够提供高效的开关性能，减少能量损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动：在电机控制应用中，IRF640SPBF可以作为驱动电路的一部分，用于控制电机的启动、停止和速度调节。它能够承受较大的电流波动，并且具有较低的导通电阻，有助于减少发热和提高系统的可靠性。 3. 逆变器：在太阳能逆变器和其他类型的逆变器中，IRF640SPBF可用于将直流电转换为交流电。其快速的开关特性和低损耗特性使其非常适合这种高频开关应用。 4. 电池管理系统：在电动汽车、储能系统等应用中，IRF640SPBF可用于电池保护和管理系统，确保电池的安全运行并延长其使用寿命。它可以精确地控制充电和放电过程，防止过充或过放。 5. 负载切换：在需要频繁切换负载的应用中，例如智能插座、家电控制器等，IRF640SPBF可以作为开关元件，实现对负载的快速、可靠控制。 6. 音频放大器：在某些音频设备中，IRF640SPBF可以用作输出级晶体管，提供高保真的音频信号放大。其低噪声特性和稳定的性能有助于提升音质。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，IRF640SPBF可以用于驱动电磁阀、继电器等执行机构，实现对生产线的自动化控制。 总之，IRF640SPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在电力电子、消费电子、工业控制等多个领域都有广泛的应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 18 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 18 A |
| Id-连续漏极电流 | 18 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640SPBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF640SPBFIRF640SPBF |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 200 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 200 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 51 ns |
| 下降时间 | 36 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 70nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 130W |
| 功率耗散 | 3.1 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 180 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 200 V |
| 漏极连续电流 | 18 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 18A （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
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