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  • 型号: IRLR110PBF
  • 制造商: Vishay
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IRLR110PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR110PBF价格参考¥5.06-¥5.96。VishayIRLR110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的IRLR110PBF是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - DC-DC转换器:用于开关模式电源(SMPS)中的降压或升压电路,提供高效、低损耗的功率转换。
   - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,实现快速开启和关闭,同时减少功耗。
   - 电池管理系统:用于锂电池保护电路,控制充电和放电路径。

 2. 电机驱动
   - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景,通过PWM信号调节电机速度。
   - H桥电路:用于双向电机控制,支持正转和反转操作。

 3. 信号切换
   - 信号路由:在多路复用器或信号切换电路中,作为低导通电阻的开关元件。
   - 音频信号切换:在音频设备中切换不同的输入源,同时保持低噪声性能。

 4. 汽车电子
   - 车载电子设备:如电动座椅调节、车窗升降器、雨刷控制系统等。
   - LED照明:用于汽车内部和外部LED灯的驱动电路,提供高效的电流控制。

 5. 消费类电子产品
   - 笔记本电脑和智能手机:用于充电电路、电池保护和功率分配。
   - 游戏控制器和外设:作为开关元件,控制振动马达或其他功能模块。

 6. 工业应用
   - 传感器接口:用于工业自动化设备中的传感器信号采集和处理。
   - 继电器替代:在需要快速开关响应的场合,替代传统机械继电器。

 特性优势
- 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。
- 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。
- 紧凑封装:节省PCB空间,适合小型化设计。

综上,IRLR110PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和信号切换的场景中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

4.3 A

Id-连续漏极电流

4.3 A

品牌

Vishay SiliconixVishay / Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR110PBF-

数据手册

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产品型号

IRLR110PBFIRLR110PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

540 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

540 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 10 V

Vgs-栅源极击穿电压

10 V

上升时间

47 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

250pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

6.1nC @ 5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

540 毫欧 @ 2.6A,5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

典型关闭延迟时间

16 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

540 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

100 V

漏极连续电流

4.3 A

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

闸/源击穿电压

+/- 10 V

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