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IRLR110PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRLR110PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRLR110PBF价格参考¥5.06-¥5.96。VishayIRLR110PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 4.3A(Tc) 2.5W(Ta),25W(Tc) D-Pak。您可以下载IRLR110PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRLR110PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix品牌的IRLR110PBF是一款N沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - DC-DC转换器:用于开关模式电源(SMPS)中的降压或升压电路,提供高效、低损耗的功率转换。 - 负载开关:在便携式设备中用作负载开关,实现快速开启和关闭,同时减少功耗。 - 电池管理系统:用于锂电池保护电路,控制充电和放电路径。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于玩具、家用电器等场景,通过PWM信号调节电机速度。 - H桥电路:用于双向电机控制,支持正转和反转操作。 3. 信号切换 - 信号路由:在多路复用器或信号切换电路中,作为低导通电阻的开关元件。 - 音频信号切换:在音频设备中切换不同的输入源,同时保持低噪声性能。 4. 汽车电子 - 车载电子设备:如电动座椅调节、车窗升降器、雨刷控制系统等。 - LED照明:用于汽车内部和外部LED灯的驱动电路,提供高效的电流控制。 5. 消费类电子产品 - 笔记本电脑和智能手机:用于充电电路、电池保护和功率分配。 - 游戏控制器和外设:作为开关元件,控制振动马达或其他功能模块。 6. 工业应用 - 传感器接口:用于工业自动化设备中的传感器信号采集和处理。 - 继电器替代:在需要快速开关响应的场合,替代传统机械继电器。 特性优势 - 低导通电阻(Rds(on)):降低功耗,提高效率。 - 高开关速度:适合高频应用,减少开关损耗。 - 紧凑封装:节省PCB空间,适合小型化设计。 综上,IRLR110PBF凭借其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各种需要高效功率控制和信号切换的场景中。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAKMOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 4.3 A |
Id-连续漏极电流 | 4.3 A |
品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRLR110PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRLR110PBFIRLR110PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 540 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 540 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
上升时间 | 47 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.1nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 540 毫欧 @ 2.6A,5V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
典型关闭延迟时间 | 16 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 540 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 75 |
汲极/源极击穿电压 | 100 V |
漏极连续电流 | 4.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.3A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 10 V |