Datasheet下载- 型号： PMZB670UPE,315
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PMZB670UPE,315由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PMZB670UPE,315价格参考。NXP SemiconductorsPMZB670UPE,315封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PMZB670UPE,315参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PMZB670UPE,315 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc.的PMZB670UPE,315是一款P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），常用于各种电子设备中的电源管理和开关应用。该器件具有低导通电阻、高效率和良好的热稳定性，适用于需要高效能和可靠性的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、负载开关和电池供电设备中的高效电源控制。 2. 电机控制：在小型电机驱动电路中作为开关元件，实现对电机启停和方向的控制。 3. 工业自动化：用于PLC（可编程逻辑控制器）和工业传感器中的信号开关和电源分配。 4. 消费类电子产品：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中用于电源管理和外设控制。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、LED照明控制和辅助电机控制等场景。 6. 通信设备：在网络设备和通信基站中用于电源开关和负载管理。 该MOSFET适用于需要低电压驱动、高效能和小尺寸封装的应用，尤其适合空间受限且对热性能要求较高的设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3MOSFET P-Chan -20V -680mA |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | - 680 mA |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PMZB670UPE,315- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PMZB670UPE,315 |
| PCN封装 | |
| Pd-PowerDissipation | 715 mW |
| Pd-功率耗散 | 715 mW |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 850 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 87pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 850 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 3-DFN1006B（0.6x1） |
| 其它名称 | 568-10845-2 |
| 功率-最大值 | 360mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 850 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 3-XFDFN |
| 封装/箱体 | DFN1006B-3 |
| 工厂包装数量 | 10000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 标准包装 | 10,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 680 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 680mA （Ta） |
| 配置 | Single |
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