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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供MCH6341-TL-E由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MCH6341-TL-E价格参考。ON SemiconductorMCH6341-TL-E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MCH6341-TL-E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MCH6341-TL-E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
MCH6341-TL-E 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款单N沟道增强型MOSFET,常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。其主要应用场景包括: 1. 便携式电子产品:如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块,用于开关控制和负载调节。 2. DC-DC转换器:适用于小型DC-DC降压或升压电路,提供高效率的能量转换,尤其在低输入电压环境下表现良好。 3. 电池管理系统:用于电池充放电保护电路中,作为高速开关元件,实现对电流流向和大小的精确控制。 4. 电机驱动电路:在微型电机或步进电机控制中作为功率开关使用,适用于玩具、小家电及自动化设备。 5. LED背光/照明驱动:用于LED显示屏背光或照明系统的恒流控制电路中,具备快速响应和低导通电阻特性。 6. 负载开关应用:用于控制不同电路模块的供电,实现系统节能与热插拔保护。 该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,具有较低的导通电阻和良好的热稳定性,适用于中低功率场景下的高频开关操作。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 5A MCPH6MOSFET SWITCHING DEVICE |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | - 5 A |
品牌 | ON Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor MCH6341-TL-E- |
数据手册 | |
产品型号 | MCH6341-TL-E |
Pd-PowerDissipation | 1.5 W |
Pd-功率耗散 | 1.5 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | - |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 430pF @ 10V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 59 毫欧 @ 3A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 6-MCPH |
功率-最大值 | 1.5W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | ON Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 45 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 6-SMD,扁平引线 |
封装/箱体 | MCPH-6 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 3,000 |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 5 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5A (Ta) |
系列 | MCH6341 |
配置 | Quad |