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  • 型号: IXTA08N100P
  • 制造商: IXYS
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTA08N100P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTA08N100P价格参考。IXYSIXTA08N100P封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IXTA08N100P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTA08N100P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IXYS品牌的IXTA08N100P是一款高电压、高功率的N沟道MOSFET晶体管,主要应用于需要高效能功率转换和控制的场合。其典型应用场景包括:

1. 电源转换设备:如DC-DC转换器、AC-DC电源供应器和开关电源(SMPS),适用于工业电源系统和高功率充电器。

2. 电机驱动:用于电机控制电路中,如无刷直流电机驱动器、伺服控制系统和电动车电机控制器。

3. 逆变器系统:在太阳能逆变器、UPS不间断电源以及变频器中,作为核心功率开关元件,实现直流到交流的能量转换。

4. 工业自动化与控制:应用于工业自动化设备中的高功率负载开关控制,如电热元件、电磁阀和高功率LED驱动。

5. 汽车电子:适用于电动车(EV)或混合动力车(HEV)中的电池管理系统(BMS)和车载充电器等高功率电子系统。

该器件具有1000V的漏源击穿电压(VDS)和8A连续漏极电流能力,适合高电压、中等电流的应用,具备良好的热稳定性和开关性能,适合在高温环境下工作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO-263

产品分类

FET - 单

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

IXYS

数据手册

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产品图片

产品型号

IXTA08N100P

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

Polar™

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

240pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

11.3nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

20 欧姆 @ 500mA,10V

供应商器件封装

TO-263 (IXTA)

功率-最大值

42W

包装

管件

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

标准包装

50

漏源极电压(Vdss)

1000V(1kV)

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

800mA (Tc)

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