Datasheet下载- 型号： PSMN4R5-30YLC,115
- 制造商： NXP Semiconductors
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN4R5-30YLC,115由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN4R5-30YLC,115价格参考。NXP SemiconductorsPSMN4R5-30YLC,115封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN4R5-30YLC,115参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN4R5-30YLC,115 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN4R5-30YLC,115 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款功率 MOSFET，属于 N 沟道增强型场效应晶体管。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适用于多种电源管理和功率转换场景。 该型号的典型应用场景包括： 1. 电源适配器与充电器：用于笔记本电脑、手机等电子设备的高效能 AC-DC 或 DC-DC 转换电路中，实现能量高效传输。 2. 电机驱动：在电动工具、家用电器或工业自动化设备中作为开关元件，控制电机启停与调速。 3. 负载开关与电源管理：用于智能电源管理系统中，作为负载开关控制电源分配，提升系统能效与安全性。 4. DC-DC 转换器与同步整流：广泛应用于各类电源模块中，提升转换效率并减小体积。 5. 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电控制电路，确保电池组安全、高效运行。 综上，PSMN4R5-30YLC,115 凭借其优异的电气特性，适合用于对效率和可靠性要求较高的功率电子设备中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 84A LFPAKMOSFET N-CH 30 V 4.8 mOhms LOGIC LEVEL MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
| Id-连续漏极电流 | 60 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN4R5-30YLC,115- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN4R5-30YLC,115 |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 61 W |
| Pd-功率耗散 | 61 W |
| Qg-GateCharge | 20.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.54 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.54 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.95V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1324pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.8 毫欧 @ 20A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | LFPAK56， Power-SO8 |
| 其它名称 | 568-6738-1 |
| 功率-最大值 | 61W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 4.8 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | SC-100，SOT-669，4-LFPAK |
| 封装/箱体 | LFPAK-4 |
| 工厂包装数量 | 1500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 60 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 84A （Tmb） |
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