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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STH315N10F7-6由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STH315N10F7-6价格参考。STMicroelectronicsSTH315N10F7-6封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STH315N10F7-6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STH315N10F7-6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STH315N10F7-6是一款N沟道MOSFET,其应用场景广泛,适用于需要高效功率转换、低导通电阻和高开关速度的电路设计。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理:该MOSFET可用于直流-直流(DC-DC)转换器、降压或升压稳压器中,作为开关元件以实现高效的电压调节。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功率损耗。 2. 电机驱动:在小型电机控制应用中,如家用电器、风扇或泵的驱动电路,STH315N10F7-6可以用作开关器件,实现对电机速度和方向的精确控制。 3. 负载开关:在消费电子设备中,这款MOSFET可用作负载开关,用于动态管理不同负载的供电状态,从而优化功耗。 4. 电池保护与管理:在电池供电设备中,该MOSFET可用于电池充放电保护电路,防止过流、短路等异常情况对电池造成损害。 5. 逆变器:在小型光伏逆变器或其他逆变器系统中,STH315N10F7-6可以参与高频开关操作,将直流电转换为交流电。 6. LED驱动:在大功率LED照明应用中,这款MOSFET可用作开关器件,配合恒流源驱动电路,确保LED亮度稳定且节能。 7. 通信设备:在基站、路由器等通信设备中,该MOSFET可用于信号放大器的电源模块,提供稳定的电流输出。 总的来说,STH315N10F7-6凭借其优异的电气性能和可靠性,非常适合各种工业、消费类及汽车电子领域的功率管理与控制应用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-6 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | STMicroelectronics |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | STH315N10F7-6 |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | DeepGATE™, STripFET™ VII |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12800pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 180nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 60A,10V |
供应商器件封装 | H²PAK |
其它名称 | 497-14719-6 |
功率-最大值 | 315W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片) |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 180A (Tc) |