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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PHK28NQ03LT,518由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PHK28NQ03LT,518价格参考。NXP SemiconductorsPHK28NQ03LT,518封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PHK28NQ03LT,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PHK28NQ03LT,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PHK28NQ03LT,518是NXP USA Inc.生产的一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于需要高效开关性能的电路中。其典型应用场景包括: 1. 电源管理:适用于DC-DC转换器、电源适配器、电池充电器等设备,用于提高能效和减小体积。 2. 电机控制:在直流电机驱动电路中作为开关元件,实现对电机启停、转速及方向的控制。 3. 照明系统:用于LED照明驱动电路中,提供稳定的电流控制和调光功能。 4. 工业自动化:在PLC(可编程逻辑控制器)、继电器替代电路及传感器接口电路中实现快速开关。 5. 汽车电子:适用于车载电源系统、车灯控制、电动门窗等汽车电子模块。 该器件具有低导通电阻、高开关速度和良好热稳定性等特点,适合中低功率应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 23.7A 8SOIC |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PHK28NQ03LT,518 |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | TrenchMOS™ |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2800pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30.3nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 14A,10V |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | 934057264518 |
功率-最大值 | 6.25W |
包装 | 带卷 (TR) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准包装 | 2,500 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23.7A (Ta) |