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IRF7103PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7103PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7103PBF价格参考。International RectifierIRF7103PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 50V 3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7103PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7103PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7103PBF是一款N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种电子设备和电路中。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,使其在多种应用场景中表现出色。 应用场景 1. 电源管理: - IRF7103PBF常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统(BMS)。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电源效率。 - 在多相电源设计中,多个MOSFET可以并联使用,以分散电流负载,确保系统的稳定性和可靠性。 2. 电机驱动: - 该器件适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。其快速开关特性能够有效控制电机的速度和方向,同时减少电磁干扰(EMI)。 - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,IRF7103PBF可用于驱动小型电机,提供高效且稳定的性能。 3. 信号切换与保护: - 在需要高频信号切换的应用中,如音频放大器、通信设备和数据传输系统,IRF7103PBF可以实现快速、低损耗的信号切换。 - 它还可以用于过流保护和短路保护电路,确保系统在异常情况下不会损坏。 4. 便携式设备: - 由于其低功耗和紧凑的封装形式,IRF7103PBF非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理和负载切换。 - 在这些应用中,它可以帮助延长电池寿命,并提高设备的整体性能。 5. 汽车电子: - 在汽车电子领域,IRF7103PBF可用于车身控制系统、车载充电器和LED照明等应用。其高可靠性和耐高温特性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。 总之,IRF7103PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,成为许多电子设备和系统中的关键组件,尤其适合需要高效、快速响应和低功耗的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICMOSFET 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3 A |
| Id-连续漏极电流 | 3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7103PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7103PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 12 nC |
| Qg-栅极电荷 | 12 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 200 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 200 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 50 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 50 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 130 毫欧 @ 3A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 200 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 12 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | 50 V |
| 漏极连续电流 | 3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 50V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |