Datasheet下载- 型号： SI4816DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4816DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4816DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4816DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4816DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4816DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4816DY-T1-GE3 是一款双N沟道增强型MOSFET阵列器件，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器及负载开关等场合，实现高效的能量转换与分配。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的驱动电路中，提供快速响应和良好的导通性能。 3. 电池供电设备：常见于笔记本电脑、平板、移动电源等便携式电子产品中，用于电池充放电管理和系统电源切换。 4. 负载开关与热插拔控制：作为高侧或低侧开关，用于控制对特定子系统的供电，支持热插拔功能，避免电流冲击。 5. 工业控制系统：如PLC模块、传感器接口电路中，实现对外部设备的高速控制与隔离。 该器件采用TSSOP封装，体积小、导通电阻低，适合高密度PCB布局和中等功率应用。由于其集成两个MOSFET于单一芯片，有助于减少外围元件数量，提高系统可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 通道（半桥） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4816DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | LITTLE FOOT® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 12nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 6.3A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 1W，1.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A，7.7A |
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