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- 型号： SI4226DY-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4226DY-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4226DY-T1-E3价格参考。VishaySI4226DY-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4226DY-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4226DY-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4226DY-T1-E3 是一款P沟道MOSFET阵列，采用双N沟道辅助驱动结构（通常用于同步整流或电平转换），具有低导通电阻、高效率和紧凑封装的特点。该器件广泛应用于便携式电子设备和电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 电池供电设备：如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源开关和负载管理，因其低功耗和高效率，有助于延长电池续航时间。 2. DC-DC转换器：在降压（Buck）转换器中作为高端或低端开关，支持高效电能转换，适用于主板、显卡等需要稳定低压供电的场景。 3. 热插拔电路与电源排序控制：利用其快速开关特性和集成保护功能，实现对多电压域系统的安全上电与断电管理。 4. 电机驱动与负载开关：用于小型电机或执行器的控制电路中，提供可靠的开关性能和过流保护能力。 5. 工业与消费类电子产品：如打印机、路由器、智能家居控制模块等，用于信号切换、电源通断控制和电平转换。 SI4226DY-T1-E3 采用薄型SOP-8封装，适合空间受限的应用，同时具备良好的热稳定性和可靠性，满足工业级温度范围要求。其设计优化了开关速度与导通损耗之间的平衡，是高性能电源管理方案中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4226DY-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1255pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 19.5 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 3.2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8A |
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