Datasheet下载- 型号： SI7501DN-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7501DN-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7501DN-T1-GE3价格参考。VishaySI7501DN-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7501DN-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7501DN-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI7501DN-T1-GE3是一款N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效功率管理、低导通电阻和高开关速度的场景。以下是该型号的一些典型应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于降压或升压转换器中的开关管，提供高效的功率传输，降低能量损耗。 - 负载开关：在便携式设备中作为负载开关，控制电路的开启与关闭，减少静态电流消耗。 - 电池保护电路：在锂电池管理系统中，用作充放电路径的开关，防止过流、过压或短路。 2. 电机驱动 - 小型电机控制：适用于消费电子、家用电器中的小功率电机驱动，如风扇、泵或玩具电机。 - H桥电路：用于双向电机控制，通过切换MOSFET的状态实现电机的正转和反转。 3. 信号切换 - 音频信号切换：在音频设备中用于切换不同的输入信号源，确保低噪声和高保真度。 - 数据线路保护：在USB或其他高速数据接口中，用作信号路径的保护开关，防止静电或过压损坏。 4. 工业自动化 - 传感器接口：用于工业传感器的信号放大或隔离，提供稳定的电流输出。 - 继电器替代：在需要频繁开关的场合，取代机械继电器以提高可靠性和寿命。 5. 汽车电子 - 车载娱乐系统：用于音频功放或显示屏背光控制。 - 车身控制系统：如车窗升降、座椅调节等，提供精确的电流控制。 6. 消费电子产品 - 智能手机和平板电脑：用于内部电源管理模块，优化电池续航时间。 - 笔记本电脑：作为充电电路中的开关元件，支持快速充电功能。 优势特点 - 低导通电阻（Rds(on)）：降低功耗，提高效率。 - 高开关速度：适合高频应用，减少开关损耗。 - 紧凑封装：节省PCB空间，适合小型化设计。 - 高可靠性：符合工业标准，能够在恶劣环境下稳定工作。 总之，SI7501DN-T1-GE3凭借其优异的性能参数和可靠性，成为众多电子设备中不可或缺的关键元件，尤其适用于对能效和空间要求较高的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8MOSFET N/P-Ch MOSFET 30V 51/35mohoms @10V |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道，共漏 |
| Id-连续漏极电流 | 6.4 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | http://www.vishay.com/doc?72173 |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI7501DN-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI7501DN-T1-GE3SI7501DN-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 41 mOhms, 28 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V, +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V, 25 V |
| 上升时间 | 15 ns, 20 ns |
| 下降时间 | 15 ns, 20 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 35 毫欧 @ 7.7A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| 其它名称 | SI7501DN-T1-GE3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 20 ns, 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.6W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 41 mOhms, 28 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 |
| 封装/箱体 | PowerPAK 1212-8 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.4A，4.5A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI7501DN-GE3 |
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