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ALD1102SAL产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1102SAL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1102SAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1102SAL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 P 沟道(双)配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载ALD1102SAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD1102SAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Advanced Linear Devices Inc.(ALD)的ALD1102SAL是一款MOSFET阵列器件,属于晶体管中的FET类别。该芯片内部集成了多个MOSFET晶体管,通常用于需要高精度和低功耗的应用场景。 ALD1102SAL的主要应用场景包括: 1. 模拟开关与多路复用器:由于其低导通电阻和良好的开关特性,常用于构建模拟信号切换电路和多路复用系统。 2. 电源管理电路:适用于便携式设备和低功耗系统中的电源控制,如负载开关、电池管理系统等。 3. 传感器接口电路:在传感器信号调理中作为开关或放大器使用,因其低噪声和高稳定性适合精密测量环境。 4. 逻辑电平转换:可用于不同电压域之间的信号转换,支持多电压系统中的逻辑接口设计。 5. 工业自动化与控制系统:用于控制执行机构或继电器驱动,实现对电机、阀门等设备的精确控制。 6. 测试与测量设备:在自动测试设备(ATE)中用于构建高可靠性的信号路径切换模块。 该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,广泛应用于通信、工业控制、消费电子及医疗仪器等领域。
| 参数 | 数值 | 
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement | 
| 描述 | MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8SOICMOSFET Dual P-Channel Pair | 
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 | 
| FET功能 | 标准 | 
| FET类型 | 2 P 沟道(双)配对 | 
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 16 mA | 
| Id-连续漏极电流 | - 16 mA | 
| 品牌 | Advanced Linear Devices Inc | 
| 产品手册 | |
| 产品图片 | 
 | 
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 | 
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1102SAL- | 
| mouser_ship_limit | 根据美国政府的出口法规规定,Mouser无法将此产品销售到您所在的国家。 | 
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ALD1102SAL | 
| Pd-PowerDissipation | 500 mW | 
| Pd-功率耗散 | 500 mW | 
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 Ohms | 
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 Ohms | 
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V | 
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V | 
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | - 13.2 V | 
| Vgs-栅源极击穿电压 | - 13.2 V | 
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 10µA | 
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 10pF @ 5V | 
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - | 
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 欧姆 @ 5V | 
| 产品种类 | MOSFET | 
| 供应商器件封装 | 8-SOIC | 
| 其它名称 | 1014-1007 | 
| 功率-最大值 | 500mW | 
| 包装 | 管件 | 
| 商标 | Advanced Linear Devices | 
| 安装类型 | 表面贴装 | 
| 安装风格 | SMD/SMT | 
| 封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 
| 封装/箱体 | SOIC-8 | 
| 工厂包装数量 | 50 | 
| 晶体管极性 | P-Channel | 
| 最大工作温度 | + 70 C | 
| 最小工作温度 | 0 C | 
| 标准包装 | 50 | 
| 正向跨导-最小值 | 0.004 S | 
| 漏源极电压(Vdss) | 10.6V | 
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | - | 
| 系列 | ALD1102S | 
| 通道模式 | Enhancement | 
| 配置 | Dual |