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  • 型号: ALD1102SAL
  • 制造商: Advanced Linear Devices
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ALD1102SAL产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供ALD1102SAL由Advanced Linear Devices设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ALD1102SAL价格参考。Advanced Linear DevicesALD1102SAL封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 P 沟道(双)配对 Mosfet 阵列 10.6V 500mW 表面贴装 8-SOIC。您可以下载ALD1102SAL参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有ALD1102SAL 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Advanced Linear Devices Inc.(ALD)的ALD1102SAL是一款MOSFET阵列器件,属于晶体管中的FET类别。该芯片内部集成了多个MOSFET晶体管,通常用于需要高精度和低功耗的应用场景。

ALD1102SAL的主要应用场景包括:

1. 模拟开关与多路复用器:由于其低导通电阻和良好的开关特性,常用于构建模拟信号切换电路和多路复用系统。

2. 电源管理电路:适用于便携式设备和低功耗系统中的电源控制,如负载开关、电池管理系统等。

3. 传感器接口电路:在传感器信号调理中作为开关或放大器使用,因其低噪声和高稳定性适合精密测量环境。

4. 逻辑电平转换:可用于不同电压域之间的信号转换,支持多电压系统中的逻辑接口设计。

5. 工业自动化与控制系统:用于控制执行机构或继电器驱动,实现对电机、阀门等设备的精确控制。

6. 测试与测量设备:在自动测试设备(ATE)中用于构建高可靠性的信号路径切换模块。

该器件采用小型封装,适合空间受限的设计,同时具备良好的热稳定性和抗干扰能力,广泛应用于通信、工业控制、消费电子及医疗仪器等领域。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 13.2V 16MA 8SOICMOSFET Dual P-Channel Pair

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 P 沟道(双)配对

Id-ContinuousDrainCurrent

- 16 mA

Id-连续漏极电流

- 16 mA

品牌

Advanced Linear Devices Inc

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Advanced Linear Devices ALD1102SAL-

mouser_ship_limit

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产品型号

ALD1102SAL

Pd-PowerDissipation

500 mW

Pd-功率耗散

500 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 Ohms

RdsOn-漏源导通电阻

180 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

- 13.2 V

Vgs-栅源极击穿电压

- 13.2 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 10µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

10pF @ 5V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

270 欧姆 @ 5V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SOIC

其它名称

1014-1007

功率-最大值

500mW

包装

管件

商标

Advanced Linear Devices

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

50

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 70 C

最小工作温度

0 C

标准包装

50

正向跨导-最小值

0.004 S

漏源极电压(Vdss)

10.6V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

-

系列

ALD1102S

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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