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- 型号： NTLGD3502NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLGD3502NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLGD3502NT1G价格参考。ON SemiconductorNTLGD3502NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLGD3502NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLGD3502NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌（实为ON Semiconductor安森美半导体，NTLGD3502NT1G为其标准型号）的NTLGD3502NT1G是一款双通道、逻辑电平驱动的N沟道MOSFET阵列，采用微型DFN6（2×2 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及ESD保护。 其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑中的负载开关、电池充放电路径控制及背光LED驱动； - DC-DC转换器与同步整流：在降压（Buck）转换器中作为高边/低边同步MOSFET，提升效率； - 电机驱动与H桥控制：用于小型直流电机、振动马达或风扇的双向/调速控制（需搭配驱动电路）； - 接口与I/O保护电路：利用其低电压导通特性，实现USB、SD卡等接口的热插拔保护与电源隔离； - LED照明驱动：驱动多路LED串或RGB LED，支持PWM调光。 该器件支持3.3V/5V逻辑兼容，适合空间受限、高能效要求的嵌入式系统。注意：实际应用中需关注PCB散热设计及栅极驱动稳定性，避免米勒效应引起的误开通。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLGD3502NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 480pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 60 毫欧 @ 4.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN（3x3） |
| 其它名称 | NTLGD3502NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.74W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A，3.6A |
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