Datasheet下载- 型号： STS4DNF30L
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STS4DNF30L由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STS4DNF30L价格参考。STMicroelectronicsSTS4DNF30L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STS4DNF30L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STS4DNF30L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STS4DNF30L 是由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。以下是其主要应用场景的描述： 1. 开关电源（SMPS） STS4DNF30L 适用于开关电源的设计，包括降压、升压和反激式转换器。其低导通电阻（Rds(on)）特性能够有效减少功率损耗，提高电源转换效率。 2. 电机驱动与控制 在小型直流电机或步进电机驱动中，该器件可用作开关元件。其耐压能力（30V）适合低压电机应用，并能提供高效的电流控制。 3. 负载切换与保护 该 MOSFET 阵列适合用于负载切换电路，例如 USB 端口保护、电池管理系统的充放电控制等场景。其快速开关特性和低功耗性能有助于实现高效且可靠的负载管理。 4. LED 驱动与背光控制 在 LED 驱动电路中，STS4DNF30L 可用作开关元件以调节电流，确保 LED 的亮度稳定。它特别适合于需要多通道控制的应用，如显示屏背光或汽车照明系统。 5. 消费电子设备 该器件广泛应用于消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和其他便携式设备。其紧凑的封装形式和低功耗特性非常适合对空间和能耗有严格要求的产品。 6. 工业自动化 在工业领域，STS4DNF30L 可用于传感器信号调理、继电器替代以及小型执行器的驱动等场合。其高可靠性和耐用性满足工业环境的需求。 7. 汽车电子 虽然该器件的主要额定电压为 30V，仍可应用于部分汽车电子系统中的低电压场景，例如车内照明控制、座椅调节和娱乐系统等非核心动力部件。 总结来说，STS4DNF30L 凭借其高性能参数和紧凑设计，非常适合用于各种低电压、高效率的开关和驱动应用，涵盖消费电子、工业控制及汽车电子等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 30V 4A 8SOICMOSFET N-Ch 30 Volt 3.5 A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 4 A |
| Id-连续漏极电流 | 4 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STS4DNF30LSTripFET™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STS4DNF30L |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 50 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 50 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 上升时间 | 100 ns |
| 下降时间 | 22 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 50 毫欧 @ 2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 497-5251-1 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1164/PF67461?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 85 mg |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 50 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 4 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4A |
| 系列 | STS4DNF30L |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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