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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN6066SSD-13由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN6066SSD-13价格参考。Diodes Inc.DMN6066SSD-13封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载DMN6066SSD-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有DMN6066SSD-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
DMN6066SSD-13 是由 Diodes Incorporated 生产的一款晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品。该型号属于双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列,具有小型化的 SOT563 封装形式,适合用于对空间要求较高的应用场景。以下是其主要的应用场景: 1. 便携式电子设备 DMN6066SSD-13 的小尺寸和低导通电阻特性使其非常适合用于便携式电子设备,例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备(如智能手表和健身追踪器)以及蓝牙耳机等。这些设备通常需要高效的电源管理解决方案以延长电池寿命。 2. 负载开关 该 MOSFET 阵列可以用作负载开关,控制电路中不同负载的供电状态。由于其低导通电阻 (Rds(on)) 特性,能够减少功率损耗,从而提高整体系统效率。在 USB 接口、充电电路和其他需要动态电源管理的地方非常适用。 3. 电源管理 在 DC-DC 转换器、LDO 稳压器以及其他电源管理模块中,DMN6066SSD-13 可以作为驱动开关使用。它的快速开关能力和较低的功耗有助于实现高效能的电源转换。 4. 信号切换与保护 DMN6066SSD-13 还可以用于信号切换应用,例如音频信号切换或数据线切换。此外,它也可以用作过流保护或短路保护器件,在检测到异常电流时切断电路,从而保护下游组件。 5. 消费类电子产品 包括数码相机、游戏控制器、遥控器等在内的消费类电子产品,可能需要紧凑且高效的开关解决方案,DMN6066SSD-13 的特性正好满足这些需求。 总结 DMN6066SSD-13 的主要优势在于其高集成度、低导通电阻和小型化封装,适用于需要高效功率传输和节省空间的设计。无论是电源管理还是信号切换,这款 MOSFET 阵列都能提供可靠而高效的性能支持。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SOMOSFET MOSFET,N-CHANNEL 60V, 3.6A/- 4.4A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.3 A |
Id-连续漏极电流 | 3.3 A |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated DMN6066SSD-13- |
数据手册 | |
产品型号 | DMN6066SSD-13 |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.25 W |
Pd-功率耗散 | 1.25 W |
Qg-GateCharge | 5.4 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.4 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 48 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 48 mOhms |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 502pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10.3nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 66 毫欧 @ 4.5A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | DMN6066SSD-13DKR |
功率-最大值 | 1.8W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 19.2 S |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.3A |
系列 | DMN6066 |
配置 | Dual |