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Datasheet下载- 型号： SI4564DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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SI4564DY-T1-GE3产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4564DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4564DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4564DY-T1-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 40V 10A，9.2A 3.1W，3.2W 表面贴装 8-SO。您可以下载SI4564DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4564DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4564DY-T1-GE3 是一款双通道 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中的电流流动，实现设备的快速开启和关闭，同时减少功耗。 - DC-DC 转换器：作为同步整流器或功率开关，提高效率并降低能量损耗。 - 电池保护：在便携式设备中，用于防止过充、过放或短路。 2. 信号切换 - 在多路复用器或多路选择器中，用于切换不同的信号路径。 - 适用于音频信号切换、传感器信号路由等场景。 3. 电机驱动 - 控制小型直流电机或步进电机的启动、停止和方向切换。 - 适用于消费电子产品、玩具和家用电器中的低功率电机控制。 4. 数据通信 - 用于 USB 端口保护，防止过流和短路。 - 在高速数据线路中提供热插拔保护功能。 5. 便携式设备 - 应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中，用于电源管理和信号切换。 - 提供低导通电阻（Rds(on)），以减少发热并延长电池寿命。 6. 工业应用 - 在自动化控制系统中，用于驱动继电器、电磁阀或其他低功率负载。 - 用于工业传感器的信号调理和隔离。 特性优势 - 低导通电阻：典型值为 7.5mΩ（Vgs=4.5V），可有效降低功耗。 - 高电流能力：连续漏极电流可达 9.7A（Tc=25°C），适合多种功率应用。 - 小封装尺寸：采用 TSOP-6 封装，节省 PCB 空间，适合紧凑型设计。 - 快速开关速度：适合高频应用，提高系统效率。 总之，SI4564DY-T1-GE3 凭借其高效能和小巧设计，成为众多低功率、高效率应用的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| Ciss-输入电容 | 0.855 nF, 2 nF |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 40V 10A 8SOICMOSFET 40V 10A/9.2A N&P-CH MOSFET |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4564DY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4564DY-T1-GE3SI4564DY-T1-GE3 |
| Pd-PowerDissipation | 3.1 W, 3.2 W |
| Pd-功率耗散 | 3.1 W, 3.2 W |
| Qg-GateCharge | 20.5 nC, 41.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20.5 nC, 41.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 14.5 mOhms, 17.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 14.5 mOhms, 17.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V, 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V, - 2.5 V |
| 上升时间 | 15 ns, 40 ns |
| 下降时间 | 13 ns, 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 855pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 17.5 毫欧 @ 8A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4564DY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 23 ns, 40 ns |
| 功率-最大值 | 3.1W，3.2W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 25 S, 27 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A，9.2A |
| 系列 | SI45xxxY |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | SI4542DY-T1-E3-S |
