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IRF7351PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7351PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7351PBF价格参考。International RectifierIRF7351PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 8A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7351PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7351PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7351PBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的具体应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理 - IRF7351PBF常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为高效能的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高整体效率。 - 在电池充电电路中,可用于控制电流流动,实现快速充电功能。 2. 电机驱动 - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供精确的电流控制。 - 在H桥或半桥驱动电路中,IRF7351PBF可以实现电机正转、反转及速度调节功能。 3. 负载切换 - 用作电子负载切换开关,例如在汽车电子系统中控制灯光、雨刷或其他负载的开启与关闭。 - 在消费电子产品中,可用于动态分配不同模块的供电路径。 4. 信号处理与保护 - 在信号传输线路中充当开关角色,隔离输入输出信号。 - 提供过流保护功能,防止电路因异常电流而损坏。 5. 通信设备 - 应用于基站、路由器等通信设备中的功率放大器或滤波器电路,确保信号稳定传输。 - 支持高频操作,适合需要快速响应的应用场合。 6. 工业自动化 - 在可编程逻辑控制器(PLC)或传感器接口中,作为高可靠性开关元件使用。 - 用于工业机器人手臂的动作控制,实现精准定位。 7. 汽车电子 - 广泛应用于车载娱乐系统、导航设备以及车身控制系统中。 - 满足汽车行业对高温环境和长期稳定性的严格要求。 总结来说,IRF7351PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,非常适合各种需要高效功率转换、精确控制及可靠运行的应用场景。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 8 A |
Id-连续漏极电流 | 8 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7351PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7351PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 24 nC |
Qg-栅极电荷 | 24 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 17.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 17.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 50µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 30V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 36nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 17.8 毫欧 @ 8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 17.8 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | N-Channel |
栅极电荷Qg | 24 nC |
标准包装 | 95 |
汲极/源极击穿电压 | 60 V |
漏极连续电流 | 8 A |
漏源极电压(Vdss) | 60V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 8A |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |