图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

Datasheet下载
  • 型号: IRF7351PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
数量阶梯 香港交货 国内含税
+xxxx $xxxx ¥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

IRF7351PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7351PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7351PBF价格参考。International RectifierIRF7351PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 60V 8A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7351PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7351PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7351PBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的晶体管,属于FET(场效应晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)阵列类别。该型号的具体应用场景包括但不限于以下领域:

 1. 电源管理
   - IRF7351PBF常用于开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中,作为高效能的开关元件。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高整体效率。
   - 在电池充电电路中,可用于控制电流流动,实现快速充电功能。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路,提供精确的电流控制。
   - 在H桥或半桥驱动电路中,IRF7351PBF可以实现电机正转、反转及速度调节功能。

 3. 负载切换
   - 用作电子负载切换开关,例如在汽车电子系统中控制灯光、雨刷或其他负载的开启与关闭。
   - 在消费电子产品中,可用于动态分配不同模块的供电路径。

 4. 信号处理与保护
   - 在信号传输线路中充当开关角色,隔离输入输出信号。
   - 提供过流保护功能,防止电路因异常电流而损坏。

 5. 通信设备
   - 应用于基站、路由器等通信设备中的功率放大器或滤波器电路,确保信号稳定传输。
   - 支持高频操作,适合需要快速响应的应用场合。

 6. 工业自动化
   - 在可编程逻辑控制器(PLC)或传感器接口中,作为高可靠性开关元件使用。
   - 用于工业机器人手臂的动作控制,实现精准定位。

 7. 汽车电子
   - 广泛应用于车载娱乐系统、导航设备以及车身控制系统中。
   - 满足汽车行业对高温环境和长期稳定性的严格要求。

总结来说,IRF7351PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,非常适合各种需要高效功率转换、精确控制及可靠运行的应用场景。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOICMOSFET 60V DUAL N-CH HEXFET 17.8mOhm 24nC

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

8 A

Id-连续漏极电流

8 A

品牌

International Rectifier

产品手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7351PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7351PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

24 nC

Qg-栅极电荷

24 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 50µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1330pF @ 30V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

36nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17.8 毫欧 @ 8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

17.8 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

24 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

8 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

8A

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

推荐商品

型号:SI4944DY-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI4500BDY-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:DMP3056LSD-13

品牌:Diodes Incorporated

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI1026X-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:NTMFD4902NFT1G

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:FDS6975

品牌:ON Semiconductor

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:AOP609

品牌:Alpha & Omega Semiconductor Inc.

产品名称:分立半导体产品

获取报价

型号:SI5904DC-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

产品名称:分立半导体产品

获取报价

样品试用

万种样品免费试用

去申请
IRF7351PBF 相关产品

DMP58D0SV-7

品牌:Diodes Incorporated

价格:

FDMC7208S

品牌:ON Semiconductor

价格:

FDSS2407

品牌:ON Semiconductor

价格:

SI5933DC-T1-E3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

IRF5851TRPBF

品牌:Infineon Technologies

价格:

SI6954ADQ-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

SI3905DV-T1-GE3

品牌:Vishay Siliconix

价格:

DMG4822SSD-13

品牌:Diodes Incorporated

价格: