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- 型号： SI5915DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5915DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5915DC-T1-E3价格参考。VishaySI5915DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5915DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5915DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5915DC-T1-E3 是一款双通道 N 沫 FET 阵列，属于晶体管 - FET、MOSFET - 阵列类别。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种应用场景，主要包括以下领域： 1. 电源管理：SI5915DC-T1-E3 适合用于 DC-DC 转换器、负载开关和电源路径管理电路。其低导通电阻（Rds(on)）能够减少功率损耗，提高效率，特别适用于便携式设备和电池供电系统。 2. 电机控制：在小型电机驱动应用中，该 MOSFET 阵列可以作为功率级开关，用于控制电机的启停、速度和方向。其双通道设计适合需要独立控制两个负载或电机的应用。 3. 信号切换：由于其快速开关特性和低电容，SI5915DC-T1-E3 可用于高速信号切换电路，例如音频信号切换、数据线路切换等场景。 4. 负载保护：该器件可用作负载开关，提供过流保护、短路保护等功能，确保下游电路的安全运行。 5. 消费电子设备：适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式电子产品中的电源管理和信号切换功能。 6. 通信设备：在通信模块中，SI5915DC-T1-E3 可用于功率放大器的开关控制或射频前端的负载切换。 7. 工业自动化：在工业控制系统中，该 MOSFET 阵列可用于传感器接口、继电器驱动和小型执行器控制。 总之，SI5915DC-T1-E3 凭借其高性能和紧凑封装，非常适合需要高效功率转换和精确开关控制的应用场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 3.4A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5915DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 70 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A |
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