Datasheet下载- 型号： SI3905DV-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3905DV-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3905DV-T1-GE3价格参考。VishaySI3905DV-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI3905DV-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI3905DV-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3905DV-T1-GE3 是一款双 N 沟道增强型 MOSFET 阵列，常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。该器件采用小型封装，适用于空间受限但要求高性能的应用场景。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，实现高效的能量转换与分配。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和便携式仪器，用于延长电池寿命并提高能效。 3. 电机控制：在小型电机或步进电机驱动电路中，作为功率开关使用。 4. 负载开关与热插拔控制：用于服务器和通信设备中，控制电源的通断，防止浪涌电流。 5. LED背光与照明控制：用于调节LED亮度或作为开关元件。 6. 工业自动化：在PLC、传感器模块和工业控制设备中实现高速开关和低导通电阻特性。 该MOSFET阵列具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合高频开关应用，同时节省PCB空间。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 8V 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI3905DV-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 450mV @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 1.15W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | - |
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