Datasheet下载- 型号： SI5904DC-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5904DC-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5904DC-T1-GE3价格参考。VishaySI5904DC-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5904DC-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5904DC-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI5904DC-T1-GE3 是一款N沟道MOSFET阵列，采用双通道设计，封装小巧（如PowerPAK SO-8双模封装），具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能。该器件广泛应用于需要高效能功率开关的场景。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于同步整流、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM），在笔记本电脑、服务器和通信设备电源中提升效率。 2. 负载开关与电源开关：用于控制便携式设备（如智能手机、平板）中的不同电源域，实现低功耗待机和快速响应。 3. 电机驱动：在小型直流电机或步进电机驱动电路中作为开关元件，常见于消费类电器和工业控制设备。 4. 热插拔电路：用于保护背板或接口电路，防止带电插拔时产生浪涌电流。 5. LED驱动与照明控制：在高亮度LED调光或开关控制中提供高效切换。 SI5904DC-T1-GE3凭借其高集成度和可靠性，特别适合空间受限且对能效要求较高的应用。其符合RoHS标准，支持无铅焊接，适用于自动化生产。总体而言，该MOSFET阵列为中低功率电子系统提供了高性能、紧凑的开关解决方案。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5904DC-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.1A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5904DC-T1-GE3CT |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.1A |
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