Datasheet下载- 型号： NTJD2152PT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJD2152PT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJD2152PT4G价格参考。ON SemiconductorNTJD2152PT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJD2152PT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJD2152PT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor（安森美）的NTJD2152PT4G是一款P沟道MOSFET阵列，内含两个独立的P沟道MOSFET器件，采用小型SOT-563封装，具有低导通电阻和高集成度的特点。该器件主要适用于对空间要求严苛且需要高效开关控制的便携式电子设备。 典型应用场景包括：智能手机、平板电脑和可穿戴设备中的电源管理与负载开关控制，用于实现电池供电系统的上电时序管理或外设电源的开启/关闭；在DC-DC转换电路中作为高端开关，配合N沟道MOSFET使用，提升电源转换效率；还可用于LED背光驱动电路中的开关控制，实现亮度调节功能。此外，因其具备良好的热稳定性和可靠性，也广泛应用于工业便携设备、物联网终端及消费类电子产品中的信号切换和电源多路控制场景。 NTJD2152PT4G支持低电压逻辑控制（如1.8V、3.3V电平），便于与现代微控制器直接接口，无需额外电平转换电路，简化设计。其双通道设计有助于减少元件数量，提高系统集成度，是空间受限应用中的理想选择。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 8V DUAL ESD SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJD2152PT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 8V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 570mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 8V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 775mA |
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