Datasheet下载- 型号： SI5933DC-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI5933DC-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI5933DC-T1-E3价格参考。VishaySI5933DC-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI5933DC-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI5933DC-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI5933DC-T1-E3是一款双N沟道MOSFET阵列，属于晶体管 - FET，MOSFET - 阵列类别。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，适用于多种高效能电源管理及信号切换应用场景。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - 负载开关：用于控制电路中负载的开启与关闭，提供高效的电流传输并减少功耗。 - DC-DC转换器：在降压或升压转换器中作为同步整流开关，提高转换效率。 - 电池管理系统 (BMS)：用于电池充放电保护、过流保护及短路保护。 2. 信号切换 - 多路复用/解复用：在信号切换应用中，如音频、视频或数据信号的切换，确保低损耗传输。 - GPIO扩展：在微控制器或嵌入式系统中，通过MOSFET阵列实现对多个外设的控制。 3. 电机驱动 - 小型直流电机控制：用于驱动低功率直流电机，支持正反转及速度调节。 - H桥电路：在双向电机驱动电路中，作为开关元件实现电机方向控制。 4. 消费电子 - 便携设备：如智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电源管理模块。 - USB接口保护：在USB端口设计中，用于过流保护及热插拔保护。 5. 工业应用 - 传感器接口：用于工业传感器信号的切换与隔离。 - 继电器替代：在需要高频开关的应用中，取代机械继电器以提高可靠性和寿命。 6. 通信设备 - 信号路由：在通信系统中用于信号路径的选择与切换。 - 电源分配：为不同模块提供独立的电源通断控制。 SI5933DC-T1-E3凭借其低导通电阻（典型值为4.5mΩ）、小封装尺寸（TSOP-6）以及出色的热性能，非常适合空间受限且要求高效能的现代电子设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 2.7A 1206-8 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI5933DC-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.7nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 110 毫欧 @ 2.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ |
| 其它名称 | SI5933DC-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.7A |
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