Datasheet下载- 型号： NVJD4401NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVJD4401NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVJD4401NT1G价格参考。ON SemiconductorNVJD4401NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVJD4401NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVJD4401NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 NVJD4401NT1G 的器件属于 ON Semiconductor（安森美半导体）旗下的 MOSFET 阵列产品，属于晶体管中的场效应晶体管（FET）。它是一款双N沟道增强型MOSFET阵列，常用于需要高效、低功耗开关控制的场合。 应用场景包括： 1. 电源管理：适用于电池供电设备中的负载开关控制，如笔记本电脑、平板电脑、移动电源等，实现对不同模块的供电管理。 2. DC-DC转换器：在小型DC-DC转换电路中作为高频开关元件，提升转换效率。 3. 电机驱动：用于小型直流电机或步进电机的控制电路中，实现方向或速度调节。 4. LED背光驱动：在显示器或背光系统中用于控制LED的通断，实现亮度调节功能。 5. 逻辑电路接口：用于数字电路中作为电平转换或信号隔离器件，增强驱动能力。 6. 消费类电子产品：如智能手机、智能穿戴设备、智能家居控制器等，因其封装小、功耗低，适合高密度PCB设计。 该器件采用小型封装（如TSOP），具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适合高效率、空间受限的设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 630MA SC88 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVJD4401NT1G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 46pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 375 毫欧 @ 630mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 270mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 630mA |
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