Datasheet下载- 型号： ZXMC6A09DN8TA
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供ZXMC6A09DN8TA由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 ZXMC6A09DN8TA价格参考。Diodes Inc.ZXMC6A09DN8TA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载ZXMC6A09DN8TA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有ZXMC6A09DN8TA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的ZXMC6A09DN8TA是一款MOSFET阵列器件，主要应用于需要高效功率控制和低导通电阻的场合。该器件由多个MOSFET集成在一个封装中，通常采用N沟道结构，具备较高的集成度和可靠性。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、电源开关及负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电机驱动：可用于小型电机或步进电机的控制电路中，提供快速开关响应和良好的热稳定性。 3. LED照明驱动：在LED背光或照明系统中，作为恒流或开关控制元件，支持高效、稳定的电流控制。 4. 工业自动化控制：适用于PLC模块、继电器替代方案或传感器驱动电路中，提供可靠的开关功能。 5. 消费电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、充电器等设备中的电源管理模块。 该器件采用小型封装（如DFN-8），适合高密度PCB布局，且具备良好的散热性能，适用于空间受限但要求高性能的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N/P-CH 60V 8-SOICMOSFET Comp. 60V NP-Chnl |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 5.1 A |
| Id-连续漏极电流 | 5.1 A |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated ZXMC6A09DN8TA- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | ZXMC6A09DN8TA |
| Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
| Pd-功率耗散 | 2.1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | +/- 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 3.3 ns, 5.8 ns |
| 下降时间 | 11 ns, 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA （最小） |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1407pF @ 40V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 8.2A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | ZXMC6A09DN8TACT |
| 典型关闭延迟时间 | 28.5 ns, 55 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 500 |
| 晶体管极性 | N and P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.9A，3.7A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Complementary |
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