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  • 型号: NTMFD4902NFT1G
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMFD4902NFT1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMFD4902NFT1G价格参考。ON SemiconductorNTMFD4902NFT1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMFD4902NFT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMFD4902NFT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N-CH DUAL 30V 8DFNMOSFET NFET SO8FL 30V 10.8A 7MO

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 通道(双),肖特基

Id-ContinuousDrainCurrent

18.2 A

Id-连续漏极电流

18.2 A

品牌

ON Semiconductor

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTMFD4902NFT1G-

mouser_ship_limit

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产品型号

NTMFD4902NFT1G

Pd-PowerDissipation

3.45 W

Pd-功率耗散

3.45 W

Qg-GateCharge

9.7 nC, 11.5 nC

Qg-栅极电荷

9.7 nC, 11.5 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.2 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.2 V

上升时间

15 ns, 15.2 ns

下降时间

4 ns, 4.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1150pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

9.7nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6.5 毫欧 @ 10A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-DFN(5x6)

典型关闭延迟时间

14 ns, 17.7 ns

功率-最大值

1.1W

包装

带卷 (TR)

商标

ON Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-PowerTDFN

封装/箱体

DFN-8

工厂包装数量

1500

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1,500

正向跨导-最小值

28 S, 35 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

13.5A

系列

NTMFD4902NF

配置

Dual

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