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Datasheet下载- 型号： FDG6308P
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FDG6308P由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDG6308P价格参考。Fairchild SemiconductorFDG6308P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FDG6308P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FDG6308P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDG6308P是由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款晶体管阵列，属于FET/MOSFET类别。其主要应用场景包括： 1. 电源管理： FDG6308P常用于低功耗电源管理系统中，例如负载开关、电压调节模块和电源分配电路。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 信号切换： 在需要高频信号切换的应用中，如音频设备、数据通信或传感器接口，该器件的快速开关特性和低电容性能使其成为理想选择。 3. 电池保护与管理： 适用于便携式电子设备中的电池保护电路，能够实现过流保护、短路保护以及防止反向电流的功能。 4. 电机驱动： 小型直流电机控制中可使用FDG6308P进行精确的速度和方向控制，尤其是在消费类电子产品（如玩具、风扇等）中。 5. LED驱动： 用于LED背光或照明应用，提供稳定的电流输出以确保亮度均匀，并支持调光功能。 6. 消费电子及物联网设备： 包括智能手机配件、智能家居产品、可穿戴设备等领域，这些场景通常要求小型化设计和高效能表现。 7. 工业自动化： 在某些工业控制模块中用作开关元件，比如继电器替代方案或信号隔离电路。 总结来说，FDG6308P凭借其出色的电气参数和紧凑封装形式，在各种需要高性能MOSFET阵列的应用场合都有广泛用途，尤其适合对空间限制敏感且追求高效率的设计项目。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.6A SC70-6MOSFET Dual P-Ch 1.8V Spec Power Trench |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 600 mA |
| Id-连续漏极电流 | 600 mA |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDG6308PPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDG6308P |
| PCN封装 | |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 400 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 400 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 15 ns |
| 下降时间 | 15 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 153pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 2.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 |
| 其它名称 | FDG6308PCT |
| 典型关闭延迟时间 | 7 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 单位重量 | 28 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SC-70-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 2.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 600mA |
| 系列 | FDG6308P |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 零件号别名 | FDG6308P_NL |
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