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Datasheet下载- 型号： SSM6P41FE(TE85L,F)
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SSM6P41FE(TE85L,F)由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SSM6P41FE(TE85L,F)价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.SSM6P41FE(TE85L,F)封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SSM6P41FE(TE85L,F)参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SSM6P41FE(TE85L,F) 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 SSM6P41FE(TE85L,F) 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌 MOSFET 阵列产品，主要适用于需要高效功率控制和小型化设计的电子设备中。该器件为P沟道MOSFET阵列，具有低导通电阻、小封装、高可靠性等特点，适合多种便携式和高密度电子产品应用。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备：如智能手机、平板电脑、数码相机等，用于电源管理、负载开关控制等，因其小型封装节省空间，有助于设备轻薄化设计。 2. 电池供电系统：如笔记本电脑、移动电源、无人机等，用于高效能电池保护电路和电源切换，提供低损耗的功率控制。 3. DC-DC转换器：适用于小型DC-DC转换电路中的同步整流或开关元件，提高转换效率并减小电路体积。 4. 电机驱动与继电器替代：用于小型电机控制或固态继电器应用，实现快速开关和减少机械磨损。 5. 汽车电子系统：如车载导航、娱乐系统、LED照明控制等，满足车载环境中对稳定性和可靠性的要求。 该器件采用TSON或类似小型封装，适合表面贴装工艺，便于自动化生产。其低导通电阻和良好的热稳定性，使其在中低功率应用中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 0.72A ES6 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=SSM6P41FE点击此处下载产品Datasheet |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SSM6P41FE(TE85L,F) |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 110pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.76nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 300 毫欧 @ 400mA，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24813 |
| 产品目录绘图 |
|
| 供应商器件封装 | ES6（1.6x1.6） |
| 其它名称 | SSM6P41FE(TE85LF)CT |
| 功率-最大值 | 150mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 720mA |
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